在今後數據導向的新世界中，誰掌握了數據的力量，就等於掌握致勝的關鍵，換言之，數據分析與洞見已然成為企業獲得創新動能的關鍵源泉。美光執行副總裁兼事業長 Sumit Sadana 表示：「在全新資料經濟背後，AI 人工智慧與 5G 成為兩大關鍵趨勢與動能，兩相結合下將打造諸多超乎想像的機會和創新。」他進一步指出，記憶體和儲存技術、演算法與深度學習應用，以及數據可得性與潛能，成為 AI 創新的三大動能。在 5G 高頻寬、低延遲與多端點連接等優勢的加持下，為 IoT 物聯網與 M2M 機聯網奠定厚實基礎，造就了終端數據的爆炸性成長，並帶來顛覆性的創新與價值突破。

業界首款 176 層 PCIe Gen4 SSD 系列，滿足極致功耗效率儲存需求

在市場打滾 40 多年的美光，如今最值得大書特書的新里程碑，莫過於首度在 NAND 和 DRAM 領域同時取得節點與量產的領先優勢，這也成為該公司在今年台北國際電腦展上的重頭戲。

首先就 NAND SSD 來說，隨著 Covid-19 英國/印度變種的持續延燒，居家學習與辦公趨勢大幅增長，進而帶動 2021 年 PC 市場呈現日產量約為 100 萬台的爆發型成長，其中尤以輕薄型筆電的成長最顯著。為了實現快速開機、多重顯示器、多工應用與多人線上遊戲等需求，愈來愈多的筆電開始只搭載 M.2 SSD。對此，美光正式宣布推出全球首款採用 176 層 NAND 技術的 PCIe Gen4 SSD。

「隨著美光推出先進 176 層 NAND以及 QLC 四層儲存單元（Quad-Level Cell） NAND 技術，我們可以滿足消費者更高容量、更低耗能、更小尺寸與更低成本的儲存需求，」美光企業副總裁暨儲存業務事業部總經理 Jeremy Werner 表示。「PCIe Gen4 的採用預計會在今年秋季進入高潮，2021 年到 2023 年間的出貨量將成長超過 6 倍。

▲2021 年到 2023 年間 PCIe Gen4 SSD 出貨量將成長超過 6 倍

目前美光將推出兩款支援 176 層 NAND 技術的 NVMe 1.4 M.2 SSD 產品系列：包括效能型 Micron 3400 與實惠型 Micron 2450。前者主打 3D 動畫、CAD/CAM設計與遊戲等高階應用，比起上一代 Micron 2300 產品，其讀取速度高達 2 倍，寫入速度則提升了 85%，最高容量可達 2TB。後者能為日常作業提供卓越使用體驗，最高容量達 1TB，共有三種不同尺寸可供選擇，其中最小只有 22×30mm，約莫 25 美分硬幣大小。

▲效能型 Micron 3400 SSD

▲三種不同尺寸的 Micron 2450 SSD，最小款約莫 25 美分硬幣大小

由於這兩款產品系列具備絕佳的功耗效率，因而名列 Intel  現代待機合作夥伴入口平台元件清單（Modern Standby Partner Portal Platform Component List），同時符合 Intel 雅典娜創新計畫（Project Athena）Open Lab 的 SSD 測試要求。除此之外，也獲得 AMD PCIe Power Speed Policy 與 Windows Modern Standby 驗證。

美光推全球首款 1α 製程 LPDDR4X 與 DDR4，並致力打造DDR5 生態系統

美光最受矚目的成就之一，莫過於其在 DRAM 製程技術的不斷突破，該公司早在 1 年前就領先業界首創 1z 製程，今年初更再接再厲推出記憶體容量提升多達 40% 的 1α 製程技術。

在此技術加持下，美光正式宣佈推出兩款全球首先採用 1α 製程的 LPDDR4X 與 DDR4 記憶體節點，前者適用於手機與 PC 客戶，並已在 6 月份全面開始大量出貨。該產品比起 1z 製程節點，不論在功耗（降低 15%）、電池續航力、尺寸與使用者體驗上皆更勝一籌。後者鎖定資料中心客戶，目前已在許多資料中心平台進行驗證，並正式大量出貨。

▲全球首款採用 1α 製程的美光 LPDDR4X

此外，比起 DDR4，擁有兩倍最高資料傳輸速率（6400 Mbps）、突發傳輸週期（Burst Length）、Bank Group 分組架構與 Bank 記憶庫的 DDR5，已被視為今後記憶體的下一步創新標準，更是讓 AI 等超高記憶體容量需求之應用發揮最佳效能的利器。

對此，美光總裁暨執行長Sanjay Mehrotra表示，2020 年起該公司便開始積極推動 DDR5「技術應用支援計畫」（Technology Enablement Program, TEP），以便打造出能讓合作夥伴加速解決方案設計、驗證與上市時間的 DDR5 生態系統。截至目前為止，已有來自超過 100 家企業、250 位設計及技術領袖共襄盛舉。美光資深副總裁暨運算與網路事業部總經理 Raj Hazra並補充指出：「允許記憶體和處理器以開放形式連接的 CXL 直連記憶體（Compute Express Link）開放標準則是美光另一項關注焦點，透過該標準得以創建近端與遠端記憶體兩種階層，這對推動未來資料中心系統級轉型有莫大助益」。

▲美光2020 年起開始積極推動 DDR5 TEP計畫

滿足未來智慧駕駛體驗，美光推出全球首款 UFS 3.1 NAND 快閃記憶體

根據美光預測，到了 2025 年，有 75% 的數據會在資料中心以外的地方（包括手機、工業、網路與車用領域）產生與處理，汽車儼然成為有輪子的資料中心。正因為如此，除了前述 176 層 NAND 和 1α DRAM 製程上的領先業界創新外，身為車用記憶體領先供應商的美光，在會場上發表的另一個重點就是全球第一款 UFS 3.1 介面車用儲存方案，包括 128GB 與 256GB 兩種不同容量的 96 層 NAND 快閃記憶體皆已開始送樣，預計 2021 年第三季度開始量產。

相較於 EMMC 5.1 車用記憶體，UFS 3.1 提供 5 倍快的讀取速度、50% 快的持續寫入速度，其讀取速度也比 UFS 2.1 快兩倍。美光並宣布加入高通 Snapdragon 汽車駕駛座艙平台（Qualcomm Snapdragon automotive Cockpit platforms），該平台將美光 UFC 產品作為主要搭載的儲存方案，進而為未來駕駛提供更迅捷的立即啟動、應用載入、平順切換與無線更新體驗。

▲美光推出全球第一款 UFS 3.1 介面車用儲存方案

美光企業副總裁暨嵌入式業務事業部總經理 Kris Baxter 總結道：「無論 PC、手機或車用規格，美光採取全新的心態從上游著手，確保技術能符合車內操作的需求。我們從電晶體、韌體、產品開發的層級開始，確保該產品在開發階段早期便具有全面車用的能力。」

（首圖為美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra，圖片來源：美光）